제조사부품번호

Infineon IGBT Module 1200 V

Name: Infineon IGBT Module 1200 V
Brand: Infineon
SKU: 244-5383
Price: 42151.48 KRW
Availability: BackOrder

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사양

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	105W
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.25V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	33.8 mm
	Series	FP10R12W1T4B
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	62.8mm
	Height	12mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 105W
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 33.8 mm
	Series FP10R12W1T4B
	Standards/Approvals RoHS
	Length 62.8mm
	Height 12mm
	Automotive Standard No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.

Electrical features

Low switching losses

Trench IGBT 3

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

Al2O3 substrate with low thermal resistance

Compact design

Solder contact technology

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

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