제조사부품번호

Infineon IHW30N65R6XKSA1 IGBT, 65 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

RS 제품 번호:: 225-0572
제조사 부품 번호:: IHW30N65R6XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IHW30N65R6XKSA1 IGBT, 65 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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10 - 95	₩4,297.68	₩21,488.40
100 - 245	₩4,222.48	₩21,112.40
250 - 495	₩4,143.52	₩20,717.60
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RS 제품 번호:: 225-0572
제조사 부품 번호:: IHW30N65R6XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	65 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±30V
	Maximum Power Dissipation	160 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 65 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±30V
	Maximum Power Dissipation 160 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IHW30N65R6XKSA1

The Infineon IHW30N65R6 is the 650 V, 30 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.

High ruggedness and stable temperature behaviour
Low EMI
Pb-free lead plating, RoHS compliant
Powerful monolithic reverse-conducting diode with low forward voltage

Infineon IHW30N65R6XKSA1 IGBT, 65 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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