제조사부품번호

Infineon IHW50N65R6XKSA1 IGBT, 83 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

RS 제품 번호:: 225-0576
제조사 부품 번호:: IHW50N65R6XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IHW50N65R6XKSA1 IGBT, 83 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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10 - 98	₩4,991.40	₩9,982.80
100 - 248	₩4,859.80	₩9,719.60
250 - 498	₩4,747.00	₩9,494.00
500 +	₩4,624.80	₩9,249.60

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RS 제품 번호:: 225-0576
제조사 부품 번호:: IHW50N65R6XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	83 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	251 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 83 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 251 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IHW50N65R6XKSA1

The Infineon IHW50N65R6 is the 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.

Frequency range 20-75 kHz
Low EMI
Very tight parameter distribution
Maximum operating TJ of 175 °C

Infineon IHW50N65R6XKSA1 IGBT, 83 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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