Infineon IHW50N65R5XKSA1, Type N-Channel Reverse Conducting IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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포장 옵션
RS 제품 번호:
215-6646
제조사 부품 번호:
IHW50N65R5XKSA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Product Type

Reverse Conducting IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

282W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.35V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022

Series

Resonant Switching

Automotive Standard

No

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

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