제조사부품번호

Infineon IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

RS 제품 번호:: 215-6645
제조사 부품 번호:: IHW50N65R5XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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수량	한팩당	Per Tube*
30 - 60	₩3,493.04	₩104,808.12
90 - 120	₩3,353.92	₩100,617.60
150 +	₩3,267.44	₩98,023.20

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RS 제품 번호:: 215-6645
제조사 부품 번호:: IHW50N65R5XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	282 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 282 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IHW50N65R5XKSA1

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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