제조사부품번호

Infineon IHW30N65R6XKSA1 IGBT, 65 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

RS 제품 번호:: 225-0571
제조사 부품 번호:: IHW30N65R6XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IHW30N65R6XKSA1 IGBT, 65 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 tube of 240 units)*

₩458,419.20

일시적 품절

2026년 5월 18일 부터 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	Per Tube*
240 - 480	₩1,910.08	₩458,193.60
720 - 960	₩1,861.20	₩446,462.40
1200 +	₩1,836.76	₩440,822.40

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 225-0571
제조사 부품 번호:: IHW30N65R6XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	65 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±30V
	Maximum Power Dissipation	160 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 65 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±30V
	Maximum Power Dissipation 160 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IHW30N65R6XKSA1

The Infineon IHW30N65R6 is the 650 V, 30 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.

High ruggedness and stable temperature behaviour
Low EMI
Pb-free lead plating, RoHS compliant
Powerful monolithic reverse-conducting diode with low forward voltage

Infineon IHW30N65R6XKSA1 IGBT, 65 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

관련된 링크들