Infineon, Type N-Channel IGBT, 83 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247, Surface
- RS 제품 번호:
- 225-0573
- 제조사 부품 번호:
- IHW40N65R6XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 tube of 240 units)*
₩496,771.20
일시적 품절
- 2026년 7월 28일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 240 - 480 | ₩2,069.88 | ₩496,771.20 |
| 720 - 960 | ₩2,017.24 | ₩484,047.36 |
| 1200 + | ₩1,990.92 | ₩477,911.04 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 225-0573
- 제조사 부품 번호:
- IHW40N65R6XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 83A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 210W | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 16.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 5.3mm | |
| Width | 21.5 mm | |
| Series | TrenchStop | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 83A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 210W | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 16.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 5.3mm | ||
Width 21.5 mm | ||
Series TrenchStop | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IHW40N65R6 is the 650 V, 40 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.
Frequency range 20-75 kHz
Low EMI
Very tight parameter distribution
Maximum operating TJ of 175 °C
관련된 링크들
- Infineon IHW40N65R6XKSA1 IGBT 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IHW30N65R5XKSA1 IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IHW50N65R6XKSA1 IGBT, 83 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IHW30N65R6XKSA1 IGBT, 65 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IHW20N65R5XKSA1 IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3, Through Hole
- Infineon IHW20N120R5XKSA1 IGBT, 20 A 1200 V PG-TO247-3
- Infineon IHW40N120R5XKSA1 IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin PG-TO247-3
