제조사부품번호

STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG IGBT, 108 A 650 V, 7-Pin H2PAK-7, Surface Mount

RS 제품 번호:: 330-362
제조사 부품 번호:: GH50H65DRB2-7AG
제조업체:: STMicroelectronics

STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG IGBT, 108 A 650 V, 7-Pin H2PAK-7, Surface Mount

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RS 제품 번호:: 330-362
제조사 부품 번호:: GH50H65DRB2-7AG
제조업체:: STMicroelectronics

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current	108 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Number of Transistors	1
	Maximum Power Dissipation	385 W
	Package Type	H2PAK-7
	Mounting Type	Surface Mount
	Pin Count	7

	모두 선택
	브랜드 STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current 108 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Number of Transistors 1
	Maximum Power Dissipation 385 W
	Package Type H2PAK-7
	Mounting Type Surface Mount
	Pin Count 7

Datasheet - GH50H65DRB2-7AG

COO (Country of Origin):: CN

The STMicroelectronics newest IGBT 650 HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

AEC-Q101 qualified
Maximum junction temperature TJ equal to 175 °C
High speed switching series
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Co-packed with high ruggedness rectifier diode
Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin

STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG IGBT, 108 A 650 V, 7-Pin H2PAK-7, Surface Mount

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