STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG IGBT, 30 A 650 V H2PAK-2, Through Hole

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 IGBTs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩5,715.20

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2026년 3월 16일 부터 460 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
1 - 9₩5,715.20
10 - 99₩5,583.60
100 - 249₩5,452.00
250 - 499₩5,320.40
500 +₩5,188.80

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
248-4894
제조사 부품 번호:
STGH30H65DFB-2AG
제조업체:
STMicroelectronics
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

260W

Package Type

H2PAK-2

Mount Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.55V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.7mm

Length

10.4mm

Series

STGH30H65DFB

Width

15.8 mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics product is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCEsat temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

AEC-Q101 qualified

High speed switching series

Safer paralleling

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Soft and very fast recovery antiparallel diode

관련된 링크들