P-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP170PH6327XTSA1

RS 제품 번호:: 826-9250
제조사 부품 번호:: BSP170PH6327XTSA1
제조업체:: Infineon

P-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP170PH6327XTSA1

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RS 제품 번호:: 826-9250
제조사 부품 번호:: BSP170PH6327XTSA1
제조업체:: Infineon

BSP170P SIPMOS Small Signal Transistor Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

속성	값
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	1.9 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Series	SIPMOS®
Package Type	SOT-223
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	300 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2.1V
Maximum Power Dissipation	1.8 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 10 V
Length	6.5mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Width	3.5mm
Height	1.6mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

P-Channel MOSFET, 1.9 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP170PH6327XTSA1

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs