Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 313 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT012N06NATMA1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

Subtotal (1 reel of 2000 units)*

₩58,377,760.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 3월 09일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
2000 +₩29,188.88₩58,378,512.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
273-5351
제조사 부품 번호:
IPT012N06NATMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

313A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PG-HSOF-8

Series

IPT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon Power MOSFET is optimized for high current applications such as forklift, light electric vehicles, POL and telecom. This package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required. It is qualified according to JEDEC1 for target applications.

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Superior thermal resistance

100 percent avalanche tested

관련된 링크들