Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -11 A, -55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9024NTRLPBF
- RS 제품 번호:
- 262-6770
- 제조사 부품 번호:
- IRFR9024NTRLPBF
- 제조업체:
- Infineon
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| 50 - 75 | ₩1,073.48 | ₩26,827.60 |
| 100 - 225 | ₩987.00 | ₩24,665.60 |
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- RS 제품 번호:
- 262-6770
- 제조사 부품 번호:
- IRFR9024NTRLPBF
- 제조업체:
- Infineon
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -55V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 175mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 38W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-41-678 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -55V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 175mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 38W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-41-678 | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Fully avalanche rated
Fast switching
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