제조사부품번호

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR220NTRLPBF

RS 제품 번호:: 217-2617
제조사 부품 번호:: IRFR220NTRLPBF
제조업체:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR220NTRLPBF

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 25 units)*

₩28,153.00

재고있음

16,800 개 단위 배송 준비 완료

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	한팩당*
25 - 725	₩1,126.12	₩28,143.60
750 - 1475	₩1,097.92	₩27,448.00
1500 +	₩1,081.00	₩27,034.40

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 217-2617
제조사 부품 번호:: IRFR220NTRLPBF
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-252
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	600mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	43W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	15nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	10.41mm
	Width	2.39 mm
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	No
	Distrelec Product Id	304-39-419
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-252
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 43W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 10.41mm
	Width 2.39 mm
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals No
	Distrelec Product Id 304-39-419
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFR220NTRLPBF

The Infineon 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100kHz

Industry standard surface-mount power package

Capable of being wave-soldered

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR220NTRLPBF

관련된 링크들