제조사부품번호

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS 제품 번호:: 262-6760
제조사 부품 번호:: IRFIZ44NPBF
제조업체:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

Subtotal (1 tube of 2000 units)*

₩1,883,760.00

일시적 품절

2026년 3월 16일 부터 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	Per Tube*
2000 +	₩941.88	₩1,882,632.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 262-6760
제조사 부품 번호:: IRFIZ44NPBF
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	31A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.036Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 31A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.036Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFIZ44NPBF

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It has 4.8mm sink to lead creep age distance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Fully avalanche rated

High voltage isolation 2.5KVRMS

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

관련된 링크들