Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -50 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS 제품 번호:
- 258-3843
- 제조사 부품 번호:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
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수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ₩752.00 | ₩1,880,000.00 |
| 5000 - 5000 | ₩736.96 | ₩1,842,400.00 |
| 7500 + | ₩721.92 | ₩1,805,740.00 |
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- RS 제품 번호:
- 258-3843
- 제조사 부품 번호:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -40V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 58W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -40V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 58W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
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