Infineon BSS Type P-Channel MOSFET, 0.28 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 BSS209PWH6327XTSA1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 10 units)*

₩2,105.60

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 10,960 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
10 - 10₩210.56₩2,105.60
20 - 90₩189.88₩1,898.80
100 - 240₩171.08₩1,710.80
250 - 490₩154.16₩1,541.60
500 +₩139.12₩1,391.20

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
250-0554
제조사 부품 번호:
BSS209PWH6327XTSA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

0.28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOT-323

Series

BSS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes P-channel with enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free. This device is OptiMOS-P Small-Signal-Transistor with super logic level of 2.5 V (rated). The operating temperature is 150°C. It is Avalanche and dv /dt rated. It is Pb-free with lead plating, Halogen-free.

VDS is -20 V, RDS(on),max 550 mΩ and Id is -0.63 A

Maximum power dissipation is 500mW

관련된 링크들