Infineon BSS Type N-Channel MOSFET, 0.28 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
- RS 제품 번호:
- 250-0541
- 제조사 부품 번호:
- BSS138WH6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 reel of 3000 units)*
₩225,600.00
재고있음
- 추가로 2025년 12월 29일 부터 9,000 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ₩75.20 | ₩224,472.00 |
| 6000 - 6000 | ₩67.68 | ₩201,912.00 |
| 9000 + | ₩60.16 | ₩181,608.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 250-0541
- 제조사 부품 번호:
- BSS138WH6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.28A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SOT-323 | |
| Series | BSS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.28A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SOT-323 | ||
Series BSS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon makes SIPMOS Small-Signal-Transistor, N-channel, Enhancement mode. The device is dv /dt rated and Pb-free lead-plating. It has Vds of 60 V, Rds(on)max is 3.5 Ω and Id is 0.28 A. It is Halogen-free, P-channel Enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free.
100% lead-free
Maximum power dissipation is 360mW
관련된 링크들
- Infineon BSS Type N-Channel MOSFET, 0.28 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 BSS138WH6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 230 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Type P-Channel MOSFET, 0.28 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 BSS209PWH6327XTSA1
- Infineon BSS Type P-Channel MOSFET, 0.28 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
- Nexperia BSS138BK Type N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS138BK,215
- ROHM BSS Type N-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 BSS138WAHZGT106
- Nexperia BSS138P Type N-Channel MOSFET, 360 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex BSS138 Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
