Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V P, 3-Pin TO-252 IPD80R1K2P7ATMA1

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포장 옵션
RS 제품 번호:
244-1596
제조사 부품 번호:
IPD80R1K2P7ATMA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

P

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET 800V CoolMOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.

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