Vishay SQJ Type N-Channel MOSFET, 210 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ182EP-T1_GE3
- RS 제품 번호:
- 239-5408
- 제조사 부품 번호:
- SQJ182EP-T1_GE3
- 제조업체:
- Vishay
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- RS 제품 번호:
- 239-5408
- 제조사 부품 번호:
- SQJ182EP-T1_GE3
- 제조업체:
- Vishay
사양
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 210A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | SQJ | |
| Package Type | PowerPAK SO-8L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.005Ω | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 395W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101, RoHS | |
| Length | 6.15mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 210A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series SQJ | ||
Package Type PowerPAK SO-8L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.005Ω | ||
Maximum Power Dissipation Pd 395W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS | ||
Length 6.15mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay N channel MOSFET has drain current of 210 A.
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics
관련된 링크들
- Vishay SQJ Type N-Channel MOSFET, 210 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ182EP-T1_GE3
- Vishay SQJ150EP Type N-Channel MOSFET, 66 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ150EP-T1_GE3
- Vishay SQJ150EP Type N-Channel MOSFET, 66 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET, 410 A, 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ170ELP-T1_GE3
- Vishay Single SQJ 1 Type P-Channel MOSFET, 36 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ457EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET, 410 A, 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ140ELP-T1_GE3
- Vishay SQJ738EP Dual N-Channel Single MOSFETs, 123 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ738EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET, 243 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ154EP-T1_GE3