Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET, 366 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSOG

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 1800 units)*

₩7,180,848.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 5월 25일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
1800 - 7200₩3,989.36₩7,181,524.80
9000 +₩3,910.40₩7,038,043.20

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
233-4386
제조사 부품 번호:
IPTG014N10NM5ATMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

366A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

HSOG

Series

IPTG

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

169nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.1mm

Height

2.4mm

Width

8.75 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET IPTG014N10NM5 comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ∼60 percent board space reduction. This new package in OptiMOS 5 - 100 V offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current 300 A. The flexibility of gullwing leads, OptiMOS in TOLG package shows excellent solder joint reliability on Al-IMS board.

High efficiency and lower EMI

High performance capability

관련된 링크들