Vishay N-Channel 100 V N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 8-Pin SO-8 SIR5102DP-T1-RE3

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RS 제품 번호:
225-9925
제조사 부품 번호:
SIR5102DP-T1-RE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

N-Channel 100 V

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.6mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

6.25W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Height

5.26mm

Width

1.12mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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