Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 28 A, 150 V, 2-Pin DirectFET IRF6775MTRPBF
- RS 제품 번호:
- 218-3101
- 제조사 부품 번호:
- IRF6775MTRPBF
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 218-3101
- 제조사 부품 번호:
- IRF6775MTRPBF
- 제조업체:
- Infineon
사양
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 28A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | DirectFET | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 2 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 56mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Width | 3.95mm | |
| Length | 4.85mm | |
| Height | 680μm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 28A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type DirectFET | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 2 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Width 3.95mm | ||
Length 4.85mm | ||
Height 680μm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 150V Single N-channel HEXFET power MOSFET. This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. The lower inductance improves EMI performance by reducing the voltage ringing that accompanies fast current transients.
Latest MOSFET Silicon technology
Dual sided cooling compatible
Compatible with existing surface mount technologies
Lead-Free
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