Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R180P7SAUMA1

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 10 units)*

₩16,732.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 360 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
10 - 620₩1,673.20₩16,732.00
630 - 1240₩1,631.84₩16,318.40
1250 +₩1,607.40₩16,074.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
214-4386
제조사 부품 번호:
IPD60R180P7SAUMA1
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

600V CoolMOS P7

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

72W

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.42 mm

Length

6.65mm

Height

2.35mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

관련된 링크들