Vishay E Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU2N80AE-GE3

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RS 제품 번호:
210-4997
제조사 부품 번호:
SIHU2N80AE-GE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

IPAK

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Height

2.18mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has IPAK (TO-251) package type.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

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