Vishay SiHU4N80AE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU4N80AE-GE3

RS 제품 번호:: 188-4943
제조사 부품 번호:: SIHU4N80AE-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay SiHU4N80AE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU4N80AE-GE3

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	SiHU4N80AE
	Package Type	IPAK
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.44Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	6.22mm
	Width	2.38 mm
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series SiHU4N80AE
	Package Type IPAK
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.44Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 6.22mm
	Width 2.38 mm
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Vishay SiHU4N80AE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU4N80AE-GE3

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