Vishay SiHU5N80AE Type N-Channel MOSFET, 4.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU5N80AE-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 10 units)*

₩9,024.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 20 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
10 - 740₩902.40₩9,024.00
750 - 1490₩879.84₩8,798.40
1500 +₩853.52₩8,535.20

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
204-7229
제조사 부품 번호:
SIHU5N80AE-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SiHU5N80AE

Package Type

IPAK

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.35Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

6.22mm

Width

2.39 mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and a low input capacitance (Ciss).

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

관련된 링크들