Vishay SiHB17N80E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS 제품 번호:
- 204-7226
- 제조사 부품 번호:
- SIHB17N80E-GE3
- 제조업체:
- Vishay
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- RS 제품 번호:
- 204-7226
- 제조사 부품 번호:
- SIHB17N80E-GE3
- 제조업체:
- Vishay
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제정법과 컴플라이언스
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | SiHB17N80E | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 290mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 208W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 122nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.83 mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 15.88mm | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series SiHB17N80E | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 290mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 208W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 122nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.83 mm | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 15.88mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay E Series Power MOSFET has a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and a low input capacitance (Ciss).
Ultra low gate charge (Qg)
Avalanche energy rated (UIS)
관련된 링크들
- Vishay SiHB17N80E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB17N80E-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB17N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB21N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB24N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB11N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB15N80AE-GE3
