제조사부품번호

onsemi NVB Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NVBG040N120SC1

RS 제품 번호:: 202-5731
제조사 부품 번호:: NVBG040N120SC1
제조업체:: onsemi

onsemi NVB Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NVBG040N120SC1

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RS 제품 번호:: 202-5731
제조사 부품 번호:: NVBG040N120SC1
제조업체:: onsemi

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	NVB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	56mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	106nC
	Maximum Power Dissipation Pd	178W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	15.7mm
	Width	4.7 mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Length	10.2mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series NVB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC
	Maximum Power Dissipation Pd 178W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 15.7mm
	Width 4.7 mm
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Length 10.2mm
	Automotive Standard No

Datasheet - NVBG040N120SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 40 mΩ, D2PAK-7L

The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter applications.

AEC Q101 qualified

Production part approval process Capable

100% avalanche tested

Low effective output capacitance

onsemi NVB Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NVBG040N120SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 40 mΩ, D2PAK-7L

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