Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 129 A, 135 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF135S203

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RS 제품 번호:
130-0937
제조사 부품 번호:
IRF135S203
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

129A

Maximum Drain Source Voltage Vds

135V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

441W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

180nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.67mm

Height

9.65mm

Width

4.83mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon


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