IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Channel MOSFET, 360 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N10T

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RS 제품 번호:
125-8041
Distrelec 제품 번호:
302-53-370
제조사 부품 번호:
IXFN360N10T
제조업체:
IXYS
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브랜드

IXYS

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

360A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

GigaMOS Trench HiperFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

525nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

25.07mm

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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