IXYS Type N-Channel MOSFET, 66 A, 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN80N50P

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 unit)*

₩52,395.60

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 20 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
1 - 2₩52,395.60
3 +₩51,079.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
194-029
Distrelec 제품 번호:
302-53-378
제조사 부품 번호:
IXFN80N50P
제조업체:
IXYS
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

195nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.2mm

Standards/Approvals

No

Width

25.07 mm

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

30253378

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

관련된 링크들