Vishay TrenchFET N-Channel Power MOSFET, 116 A, 80 V N, 8-Pin PowerPAK SIRS5800LEPW-T1RE3

N
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RS 제품 번호:
851-507
제조사 부품 번호:
SIRS5800LEPW-T1RE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

116A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0039Ω

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

92.5W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101 Qualified

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay high-performance N-Channel MOSFET designed for efficient power management. It operates effectively at 80V with a maximum junction temperature of 175°C, providing reliable and robust functionality in various applications.

TrenchFET Gen V technology ensures excellent performance and efficiency

Very low on-state resistance reduces power loss during conduction

100% tested for R and UIS, guaranteeing high reliability

Improved thermal performance with enhanced power dissipation capabilities

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