Vishay SI N-Channel Single MOSFETs, 3.4 A, 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580DP-T1-UE3

N
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RS 제품 번호:
829-364
제조사 부품 번호:
SIR580DP-T1-UE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SI

Package Type

P

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0192Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15mm

Length

6.15mm

Height

1.04mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay high-performance N-Channel MOSFET designed for efficient power management. This Advanced component excels in roles requiring high levels of current handling and voltage regulation.

TrenchFET Gen V technology for superior efficiency

Low on-state resistance reduces power losses

Extensive testing for reliability, including UIS testing

Optimised for low R x Q figure-of-merit to enhance performance

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