Vishay SI N-Channel Single MOSFETs, 149 A, 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580LDP-T1-UE3

N
모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing options

Subtotal (1 unit)*

₩3,126.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2027년 11월 01일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
1 - 9₩3,126.00
10 - 24₩2,032.00
25 - 99₩1,206.00
100 - 499₩1,184.00
500 +₩1,140.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
829-365
제조사 부품 번호:
SIR580LDP-T1-UE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

149A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SI

Package Type

P

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0026Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

5.15mm

Length

6.15mm

Height

1.04mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay N-Channel MOSFET, designed for high-efficiency switching applications, providing robust performance in demanding conditions with its low on-state resistance and comprehensive testing certifications.

Rated for a drain-source voltage of 80 V, ensuring reliable operation under various conditions

Features a maximum on-resistance of just 0.0026 Ohm at 10 V, promoting energy efficiency

Incorporates a low gate threshold voltage of 1 to 2.5 V, enhancing compatibility with a wide range of circuits

Offers a robust continuous drain current of 149 A, suitable for high-power applications

관련된 링크들