Vishay SIR5812DP Type N-Channel Single MOSFETs, 45.3 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5812DP-T1-RE3

N

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기

Subtotal (1 reel of 3000 units)*

₩2,165,760.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 6,000 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
3000 +₩721.92₩2,168,580.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
653-197
제조사 부품 번호:
SIR5812DP-T1-RE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK

Series

SIR5812DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0135Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.15 mm

Length

5.15mm

Height

1.04mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay TrenchFET Gen V N-Channel Power MOSFET rated for 80 V drain-source voltage. Packaged in a PowerPAK SO-8, it's Ideal for DC/DC converters, synchronous rectification, motor control, and hot swap switching.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

관련된 링크들