Vishay SIR N-Channel Single MOSFETs, 125 A, 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR680ADP-T1-UE3

N
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RS 제품 번호:
829-343
제조사 부품 번호:
SIR680ADP-T1-UE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Channel Type

N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

125A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SIR

Package Type

P

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00288Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

1.04mm

Length

6.15mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay power MOSFET designed for efficient switching applications, featuring a Compact design that optimises space utilisation and thermal performance in circuit designs.

N-Channel 80V MOSFET with TrenchFET Gen IV technology for superior performance

Very low R-DS(on) rating reduces power loss during operation

Pulsed drain current capability of 300A supports demanding applications

Enhanced thermal characteristics ensure reliability at elevated temperatures

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