Vishay SI N-Channel Single MOSFETs, 6 A, 30 V Enhancement Mode, 6-Pin TSOP-6 SI3410BDV-T1-GE3

N
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RS 제품 번호:
829-360
제조사 부품 번호:
SI3410BDV-T1-GE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Channel Type

N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SI

Package Type

TSOP-6

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0192Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Power Dissipation Pd

3.3W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.7mm

Length

3mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

1mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay high-performance N-Channel MOSFET designed for efficient load management in electronic circuits. It operates at a maximum drain-source voltage of 30 V, optimising power usage in various applications.

Delivers maximum continuous drain current of 6 A, ensuring reliability under load

Features a low on-state resistance of 0.0192 Ohm at 10 V, aiding energy efficiency

Built with a Compact TSOP-6 packaging, facilitating integration into space-constrained designs

Incorporates Advanced TrenchFET technology for enhanced switching performance

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