Vishay TrenchFET N-Channel Single MOSFETs, 2.5 A, 20 V Enhancement Mode, 6-Pin TSOP-6 SI3552BDV-T1-GE3

N
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RS 제품 번호:
847-934
제조사 부품 번호:
SI3552BDV-T1-GE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

TSOP-6

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.200Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.1nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.15W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS3 Compliant

Length

2.9mm

Width

1.6mm

Height

1mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay power MOSFET combines both N- and P-channel functionalities for efficient performance in various applications. This device maximises power efficiency while maintaining reliability in Compact spaces.

TrenchFET technology ensures low on-resistance for better efficiency

Offers a maximum drain-source voltage of 30 V for N-channel and -30 V for P-channel

Continuous drain current rated at up to 3.7 A for reliable operation

Leads are halogen-free, promoting environmental sustainability

Features a Compact TSOP-6 package for space-saving designs

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