ROHM N channel-Channel MOSFET, 12 A, 40 V, 8-Pin HSMT RQ3G120BKFRATCB

N

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing options

Subtotal (1 tape of 10 units)*

₩11,134.50

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2026년 6월 25일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
Per Tape*
10 - 90₩1,113.45₩11,126.70
100 - 490₩978.90₩9,798.75
500 +₩789.75₩7,905.30

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
780-667
제조사 부품 번호:
RQ3G120BKFRATCB
제조업체:
ROHM
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

HSMT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

28mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

40W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

3.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive power management. This robust device is engineered for ADAS and infotainment systems, ensuring efficient performance in demanding vehicle environments up to 150°C.

Drain to source voltage of 40 V

Continuous drain current of 12 A

17.4 mOhm typical on-resistance at 10 V

High power dissipation of 40 W

관련된 링크들