Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 125 A, 30 V Enhancement, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5300DT-T1-UE3

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RS 제품 번호:
736-656
제조사 부품 번호:
SIZF5300DT-T1-UE3
제조업체:
Vishay
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브랜드

Vishay

Channel Type

Dual N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

125A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAIR 3 x 3FS

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00351Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Width

3.3mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay High performance Dual N-Channel MOSFET designed for efficient power management in various applications, delivering superior thermal performance and switching capabilities.

TrenchFET Gen V technology optimises efficiency and performance

Symmetric dual n-channel configuration enables versatile circuitry designs

High side and low side MOSFETs support 50% duty cycle applications

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