Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 257 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F SiZF906BDT-T1-GE3

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩11,825.20

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 5,315 개 단위 배송 준비 완료
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
한팩당*
5 - 45₩2,365.04₩11,825.20
50 - 95₩2,297.36₩11,486.80
100 - 245₩2,225.92₩11,129.60
250 - 995₩2,154.48₩10,772.40
1000 +₩2,090.56₩10,452.80

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
228-2941
제조사 부품 번호:
SiZF906BDT-T1-GE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

257A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAIR 6 x 5F

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0021Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

관련된 링크들