Infineon ISG Type N-Channel Power Transistor, 299 A, 40 V Enhancement, 10-Pin PG-VITFN-10 ISG0613N04NM6HATMA1

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RS 제품 번호:
349-393
제조사 부품 번호:
ISG0613N04NM6HATMA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

Power Transistor

Maximum Continuous Drain Current Id

299A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

ISG

Package Type

PG-VITFN-10

Mount Type

Surface

Pin Count

10

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.88mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

69nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC61249‑2‑21, JEDEC

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon OptiMOS 6 dual N-channel 40 V MOSFETs in a scalable power block package. Dual N-channel MOSFETs in PQFN 6.3x6.0 features very low RDS(on) of 0.88 mΩ each with Q1/Q2 in a half-bridge configuration.

Minimized conduction losses

Reduced voltage overshoot

High power capability

Superior thermal performance

Lowest loop inductance

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