Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ113N10NM5LF2ATMA1

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RS 제품 번호:
349-154
제조사 부품 번호:
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

63A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

ISZ

Package Type

PG-TSDSON-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon OptiMOS Linear FET is a revolutionary approach that solves the trade-off between on-state resistance and linear mode capability. Combined with the low cost, low profile PQFN 3.3x3.3 package, it is targeted for soft start and current limiting purpose in Power over Ethernet (PoE) application.

Wide safe operating area

Low RDS(on)

High max. pulse current

High max. continuous current

Available in small low profile package

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