제조사부품번호

Infineon Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis

RS 제품 번호:: 260-8891
제조사 부품 번호:: FF600R12IP4BOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis

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RS 제품 번호:: 260-8891
제조사 부품 번호:: FF600R12IP4BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	600A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	20mW
	Number of Transistors	2
	Package Type	AG-PRIME2
	Configuration	Dual
	Mount Type	Chassis
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.55V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 600A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 20mW
	Number of Transistors 2
	Package Type AG-PRIME2
	Configuration Dual
	Mount Type Chassis
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.55V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - FF600R12IP4BOSA1

The Infineon PrimePACK 2 1200 V, 600 A half-bridge dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode, NTC and soft switching chip, also available with thermal interface material. High short circuit capability, self limiting short circuit current, VCEsat with positive temperature coefficient.

Extended operation temperature

High DC stability

High power density

Standardized housing

Infineon Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis

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