제조사부품번호

Infineon IHW20N135R5XKSA1 IGBT, 40 A 1350 V, 3-Pin PG-TO247-3

RS 제품 번호:: 215-6635
제조사 부품 번호:: IHW20N135R5XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IHW20N135R5XKSA1 IGBT, 40 A 1350 V, 3-Pin PG-TO247-3

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수량	한팩당	Per Tube*
30 - 60	₩2,964.76	₩88,942.80
90 - 120	₩2,846.32	₩85,372.68
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RS 제품 번호:: 215-6635
제조사 부품 번호:: IHW20N135R5XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	40 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1350 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±25 V
	Maximum Power Dissipation	310 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 40 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1350 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±25 V
	Maximum Power Dissipation 310 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IHW20N135R5XKSA1

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode offers high breakdown voltage of 1350v.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IHW20N135R5XKSA1 IGBT, 40 A 1350 V, 3-Pin PG-TO247-3

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