제조사부품번호

Infineon IHW20N135R5XKSA1 IGBT, 40 A 1350 V, 3-Pin PG-TO247-3

RS 제품 번호:: 215-6636
제조사 부품 번호:: IHW20N135R5XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon IHW20N135R5XKSA1 IGBT, 40 A 1350 V, 3-Pin PG-TO247-3

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩26,639.60

재고있음

25 개 단위 배송 준비 완료
추가로 2026년 1월 06일 부터 215 개 단위 배송

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	한팩당*
5 - 5	₩5,327.92	₩26,639.60
10 - 95	₩5,226.40	₩26,132.00
100 - 245	₩5,139.92	₩25,699.60
250 - 495	₩5,045.92	₩25,229.60
500 +	₩4,951.92	₩24,759.60

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 215-6636
제조사 부품 번호:: IHW20N135R5XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	40 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1350 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±25 V
	Maximum Power Dissipation	310 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 40 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1350 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±25 V
	Maximum Power Dissipation 310 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IHW20N135R5XKSA1

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode offers high breakdown voltage of 1350v.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IHW20N135R5XKSA1 IGBT, 40 A 1350 V, 3-Pin PG-TO247-3

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

관련된 링크들