제조사부품번호

Infineon FF1600R12IP7BOSA1 Half Bridge IGBT, 1.6 kA 1200 V, Screw Mount

RS 제품 번호:: 349-361
제조사 부품 번호:: FF1600R12IP7BOSA1
제조업체:: Infineon

Infineon FF1600R12IP7BOSA1 Half Bridge IGBT, 1.6 kA 1200 V, Screw Mount

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RS 제품 번호:: 349-361
제조사 부품 번호:: FF1600R12IP7BOSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	1.6 kA
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	20 mW
	Number of Transistors	2
	Configuration	Half Bridge
	Mounting Type	Screw Mount
	Channel Type	N

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 1.6 kA
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 20 mW
	Number of Transistors 2
	Configuration Half Bridge
	Mounting Type Screw Mount
	Channel Type N

Datasheet - FF1600R12IP7BOSA1

COO (Country of Origin):: DE

The Infineon PrimePACK 2 1200 V 1600 A Dual IGBT Module with TRENCHSTOP IGBT7 and Emitter Controlled 7 Diode is designed for high power applications, offering exceptional performance in a compact and robust package. It delivers the highest power density, optimizing space while maintaining outstanding power handling capabilities. The module features best-in-class VCEsat, ensuring low saturation voltage for higher efficiency and reduced energy losses.

Increase in power density
Less cooling effort for same output power
Higher inverter output current
Avoidance of paralleling of IGBT modules
Standardized housing

Infineon FF1600R12IP7BOSA1 Half Bridge IGBT, 1.6 kA 1200 V, Screw Mount

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