Infineon BFR182E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

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258-7726
Distrelec 제품 번호:
304-40-491
제조사 부품 번호:
BFR182E6327HTSA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Product Type

Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

35mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Minimum Operating Temperature

-65°C

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.9mm

Height

1mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

BFR182

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications.

Pb free RoHS compliant package

VCEO max is 12 V

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