Infineon Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23
- RS 제품 번호:
- 258-6993
- 제조사 부품 번호:
- BFR182E6327HTSA1
- 제조업체:
- Infineon
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|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ₩228.15 | ₩686,790.00 |
| 6000 - 6000 | ₩224.25 | ₩673,335.00 |
| 9000 - 15000 | ₩218.40 | ₩652,860.00 |
| 18000 + | ₩210.60 | ₩633,555.00 |
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- RS 제품 번호:
- 258-6993
- 제조사 부품 번호:
- BFR182E6327HTSA1
- 제조업체:
- Infineon
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 35mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250mW | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | BFR182 | |
| Length | 2.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 35mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250mW | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series BFR182 | ||
Length 2.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon NPN silicon RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications.
Pb free RoHS compliant package
VCEO max is 12 V
관련된 링크들
- Infineon BFR182E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23
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- Infineon Bipolar Transistor, 20 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon BFR193E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 80 mA NPN, 12 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon BFR183E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23
- Infineon BFR181E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 20 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23
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