Infineon BFR181E6327HTSA1 Bipolar Transistor, 20 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

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RS 제품 번호:
258-7710
Distrelec 제품 번호:
304-40-490
제조사 부품 번호:
BFR181E6327HTSA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Product Type

Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

20mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Power Dissipation Pd

175mW

Transistor Polarity

NPN

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Maximum Transition Frequency ft

3GHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

125°C

Width

2.4 mm

Length

2.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

BAR63

Height

1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon NPN silicon RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications.

Pb free RoHS compliant package

VCEO max is 12 V

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